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NTJS3151PT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJS3151PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJS3151PT1G价格参考。ON SemiconductorNTJS3151PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 2.7A(Ta) 625mW(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载NTJS3151PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJS3151PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTJS3151PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:该器件适用于降压或升压 DC-DC 转换器中的开关元件,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性,可提高效率并减少能量损耗。 - 负载开关:在便携式设备中用作高效的负载开关,控制电路的通断状态,同时降低功耗。 - 电池管理系统 (BMS):用于保护电池组免受过流、短路等异常情况的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:可用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机,提供精确的电流和电压控制。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 信号切换 - 高速信号切换:利用其快速开关速度,用于音频、视频或其他高频信号的切换应用。 - 多路复用器:在需要选择不同输入信号的场景中,MOSFET 可以用作信号路径的切换开关。 4. 保护电路 - 过流保护:通过检测 MOSFET 的压降来实现过流保护功能,防止电路因过载而损坏。 - 短路保护:结合外部电路设计,可以快速切断短路电流,保护系统其他部分的安全。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和外围设备的控制。 - 笔记本电脑适配器:在适配器中用作高效开关元件,提升充电效率。 - USB 充电端口:用于 USB 端口的电流限制和保护功能。 6. 工业自动化 - 传感器接口:用于驱动传感器或作为传感器信号的切换开关。 - 继电器替代:在一些低功率应用中,可以用 NTJS3151PT1G 替代传统机械继电器,实现更可靠和快速的开关操作。 总结 NTJS3151PT1G 凭借其低 Rds(on)、高开关速度和小封装尺寸,非常适合应用于各种低功率、高效率的电子设备中,包括消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363MOSFET 12V 3.3A P-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.3 A |
Id-连续漏极电流 | - 3.3 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTJS3151PT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | NTJS3151PT1G |
Pd-PowerDissipation | 0.625 W |
Pd-功率耗散 | 625 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 133 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 133 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 1.5 ns |
下降时间 | 1.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 400mV @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.6nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 3.3A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | NTJS3151PT1GOSTR |
典型关闭延迟时间 | 3.5 ns |
功率-最大值 | 625mW |
功率耗散 | 0.625 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 133 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-88-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 15 S |
汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
漏极连续电流 | - 3.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Ta) |
系列 | NTJS3151P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 12 V |