Datasheet下载- 型号： IPP060N06NAKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP060N06NAKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP060N06NAKSA1价格参考￥3.38-￥3.60。InfineonIPP060N06NAKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP060N06NAKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP060N06NAKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IPP060N06NAKSA1 的晶体管是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于场效应晶体管（FET）类别。该器件广泛应用于需要高效、高频开关性能的电力电子系统中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），用于提高能效和减小体积； 2. 电机驱动：适用于电动工具、风扇、泵等小型电机控制电路中的高侧或低侧开关； 3. 负载开关：用于智能配电系统或电池管理系统中控制负载通断； 4. 照明系统：如LED驱动器中作为开关元件使用； 5. 汽车电子：因其高可靠性和封装符合工业标准，也适用于车载电源系统及辅助设备； 6. 工业自动化：在PLC、变频器、伺服驱动器等设备中用于功率控制。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高频率响应和良好热性能，适合高效率、小型化设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
| Id-连续漏极电流 | 45 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET MV POWER MOS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP060N06NAKSA1 |
| 产品型号 | IPP060N06NAKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 27 nC |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 73 S |
| 系列 | IPP060N06 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000917402 |
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