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IRF3415PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3415PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3415PBF价格参考¥4.71-¥5.17。International RectifierIRF3415PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 150V 43A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF3415PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3415PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF3415PBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) IRF3415PBF常用于开关电源中的功率转换部分,例如DC-DC转换器或AC-DC适配器。它的低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动 该型号适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启停、转速和方向。其快速开关特性和高电流承受能力使其能够胜任这类应用。 3. 逆变器 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,IRF3415PBF可以用作功率级开关,将直流电转换为交流电,适用于中小型逆变器系统。 4. 电池管理 该MOSFET可用于电池保护电路中,实现过流保护、短路保护以及充放电控制等功能。其低导通电阻有助于降低电池系统的功耗。 5. LED驱动 在大功率LED照明应用中,IRF3415PBF可以用作恒流源或PWM调光电路中的开关器件,提供高效且稳定的电流输出。 6. 负载开关 它可用作负载开关,在需要频繁开启或关闭负载的电路中,例如汽车电子设备或消费类电子产品中,确保快速响应和低损耗。 7. 继电器替代 IRF3415PBF可以替代传统的机械继电器,用于切换高电流负载。相比继电器,它具有更长的使用寿命和更快的切换速度。 性能特点: - 额定电压:55V,适合低压应用。 - 额定电流:28A(持续),能够处理较大的电流需求。 - 低导通电阻:有助于减少发热,提高系统效率。 - 快速开关速度:降低开关损耗,适合高频应用。 总之,IRF3415PBF是一款性能可靠的功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子领域,特别是在需要高效功率转换和低损耗的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 43A TO-220ABMOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 43 A |
| Id-连续漏极电流 | 43 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3415PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF3415PBF |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 133.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 133.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 200nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 22A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF3415PBF |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 42 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 133.3 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 43 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 43A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf3415.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf3415.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |