Datasheet下载- 型号： NP90N06VLG-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP90N06VLG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP90N06VLG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP90N06VLG-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP90N06VLG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP90N06VLG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP90N06VLG-E1-AY是瑞萨电子（Renesas Electronics America）生产的一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的单MOSFET器件。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于中低功率的开关与电源管理应用。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、移动电源）中的电源开关和负载管理；电池供电系统中的充放电控制；DC-DC转换器，用于提升或降低电压以适配不同电路模块的工作需求；以及小型电机驱动、LED驱动电路等。此外，该MOSFET也常用于各类消费类电子产品中的热插拔保护电路和过流保护设计。 由于其封装小巧（如SOP Advance），适合高密度PCB布局，有助于缩小整体产品体积，特别适用于对空间敏感的便携设备。同时，该器件具备良好的栅极耐压能力，提升了系统可靠性。总体而言，NP90N06VLG-E1-AY是一款适用于高效、低功耗电源管理场景的通用型N沟道MOSFET，广泛应用于消费电子、工业控制和嵌入式系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 90A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP90N06VLG-E1-AY |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 毫欧 @ 45A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | NP90N06VLG-E1-AYCT |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
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