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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS8888由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS8888价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS8888封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMS8888参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS8888 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMS8888 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能MOSFET器件,属于N沟道增强型功率MOSFET。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提高电源系统的整体效率并减少发热。 2. 负载开关与电源开关:可用于电池管理系统(如笔记本电脑、电动工具、无人机等设备)中作为高效负载开关,控制电源的通断,具有快速响应和低损耗的特点。 3. 马达驱动:在小型电机或步进电机驱动电路中,FDMS8888可以作为功率开关使用,支持较高的工作电流和频率,适用于机器人、打印机、风扇控制等应用。 4. 热插拔系统:由于具备良好的电流限制能力,该器件也适合用于服务器、通信设备中的热插拔电源模块保护。 5. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,适用于车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等场景。 综上,FDMS8888凭借其高集成度、低Rds(on)和良好热性能,广泛应用于需要高效能功率控制的工业、消费类及汽车电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFNMOSFET N-Channel PwrTrench 30V 21A 9.5mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13.5 A |
Id-连续漏极电流 | 13.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS8888PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMS8888 |
Pd-PowerDissipation | 42 W |
Pd-功率耗散 | 42 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 9.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1585pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.5 毫欧 @ 13.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-PQFN(5X6),Power56 |
其它名称 | FDMS8888CT |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 90 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 9.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | Power 56-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 13.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13.5A (Ta), 21A (Tc) |
系列 | FDMS8888 |