Datasheet下载- 型号： FDB6030L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB6030L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB6030L价格参考。Fairchild SemiconductorFDB6030L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB6030L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB6030L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB6030L 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于功率MOSFET器件，常用于需要高效能开关和功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适合用于中高功率应用。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机控制：在电动工具、电动车、工业自动化设备中作为电机驱动开关，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制和保护电路中，确保电池组的安全高效运行。 4. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块、LED照明驱动等，满足汽车系统对可靠性和效率的高要求。 5. 消费电子：如笔记本电脑、平板电源管理模块、智能家电中的功率控制部分。 6. 工业控制：用于PLC、伺服驱动器、变频器等设备中的功率开关，实现对负载的高速控制。 FDB6030L 凭借其良好的性能和可靠性，在需要高效率、小体积和高稳定性的电子系统中广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB6030L |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 26A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 48A （Ta） |
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