Datasheet下载- 型号： BSS119NH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS119NH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS119NH6327XTSA1价格参考￥0.39-￥0.40。InfineonBSS119NH6327XTSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSS119NH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS119NH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS119NH6327XTSA1 是一款N沟道MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于低电压、低功耗的开关和信号处理场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和小型化封装（如SOT-363），适合高密度电路设计。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电池供电控制；消费类电子产品中的LED驱动电路，用于高效控制背光或指示灯；通信模块中的信号切换与电平转换，适用于I²C、UART等低速总线隔离与驱动；此外，还可用于传感器接口电路中作为开关元件，实现对传感器电源的按需开启以降低整体功耗。 由于其良好的热稳定性和可靠性，BSS119NH6327XTSA1也适用于工业控制中的小型继电器驱动或逻辑门电路中的开关单元。其表面贴装封装便于自动化生产，适合大批量制造。总体而言，该MOSFET适用于需要小型化、低功耗和高效率的各类电子系统，特别适合空间受限和电池供电的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 190 mA |
| Id-连续漏极电流 | 190 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SMALL SIGNAL N-CH |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS119NH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSS119NH6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 0.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
| 上升时间 | 3.3 ns |
| 下降时间 | 18.8 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 7 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.35 S |
| 系列 | BSS119 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000870644 |
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