Datasheet下载- 型号： IRF7458PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7458PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7458PBF价格参考。International RectifierIRF7458PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7458PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7458PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7458PBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于场效应晶体管（FET）类别，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理场景。该器件采用先进的沟槽技术，具有低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)），适合在高频率开关电路中使用。 典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器：用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的降压（Buck）或升压（Boost）电源模块，提供高效率的能量转换。 2. 负载开关与电源管理：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中控制电源通断，实现节能和系统保护。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，常见于家电、电动工具和工业控制设备。 4. 热插拔电路：用于服务器和电信设备中，防止带电插拔时产生浪涌电流，保护系统稳定运行。 5. LED驱动与照明系统：在高亮度LED驱动中作为开关元件，实现精确调光和高效供电。 IRF7458PBF采用Pb-free（无铅）封装，符合环保标准，工作温度范围宽，可靠性高，适合对空间和能效要求较高的紧凑型电子设备。其优异的热性能和电气特性使其在消费电子、工业控制和通信基础设施中得到广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 2.41 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 39nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7458PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7458PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 4.6 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2410pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 14A，16V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 26 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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