Datasheet下载- 型号： TK16C60W,S1VQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK16C60W,S1VQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK16C60W,S1VQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK16C60W,S1VQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK16C60W,S1VQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK16C60W,S1VQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 生产的型号为 TK16C60W,S1VQ 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，且为单通道设计。以下是该型号的应用场景分析： 1. 开关电源和DC-DC转换器 - TK16C60W,S1VQ 具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于开关电源中的功率开关角色。在 DC-DC 转换器中，它可以用作高频开关，实现高效的电压转换。 - 应用实例：笔记本电脑适配器、USB-PD 充电器、汽车电子中的电源管理系统。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的电流控制和快速开关能力。 - 应用实例：家用电器（如风扇、水泵）、无人机电机驱动、电动工具。 3. 负载开关 - 在需要动态控制负载通断的场景中，TK16C60W,S1VQ 可作为负载开关使用，支持快速响应和低功耗运行。 - 应用实例：智能手机充电保护电路、物联网设备的电源管理模块。 4. 逆变器和太阳能系统 - 该型号的高耐压特性和良好的热性能使其适合用于小型逆变器和太阳能微逆变器中，帮助将直流电转换为交流电。 - 应用实例：便携式太阳能发电设备、家庭储能系统。 5. 电池管理 - 在电池组中，该 MOSFET 可用作充放电保护开关，确保电池的安全运行并防止过流或短路。 - 应用实例：锂电池保护板、电动车电池管理系统（BMS）。 6. 信号放大与隔离 - 在某些信号处理电路中，该 MOSFET 可用于放大弱电信号或实现高低电压之间的隔离。 - 应用实例：工业自动化设备、通信设备中的信号传输模块。 总结 TK16C60W,S1VQ 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和可再生能源领域。具体应用场景需根据其规格参数（如耐压、电流、导通电阻等）以及实际需求进行选择和设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1350 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAKMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 130W 1350pF 15.8A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 15.8 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK16C60W,S1VQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TK16C60W&lang=en&type=datasheet |
| 产品型号 | TK16C60W,S1VQTK16C60W,S1VQ |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.7 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 790µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 7.9A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | TK16C60WS1VQ |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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