Datasheet下载- 型号： SIHP24N65E-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP24N65E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP24N65E-GE3价格参考。VishaySIHP24N65E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHP24N65E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHP24N65E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIHP24N65E-GE3是一款高性能的MOSFET晶体管，属于增强型N沟道功率MOSFET。该型号广泛应用于多种电力电子场景中，以下为其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： SIHP24N65E-GE3适用于开关模式电源的设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其高电压耐受能力（650V）和低导通电阻（Rds(on) = 0.28Ω，典型值）使其成为高效开关的理想选择。 2. 电机驱动： 在工业控制和消费电子领域，该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机。其快速开关特性和低损耗特性有助于提高电机驱动效率。 3. 逆变器： 用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他需要高频开关的应用中。其优化的栅极电荷（Qg）和反向恢复电荷（Qrr）确保了在高频条件下的高效运行。 4. 负载切换： 在汽车电子和工业自动化系统中，该MOSFET可以用作负载切换开关，实现对各种负载的精确控制。 5. PFC电路（功率因数校正）： 该器件适用于Boost拓扑结构中的功率因数校正电路，能够有效提升系统的功率因数并减少谐波失真。 6. 电池管理系统（BMS）： 在电动汽车和储能系统中，SIHP24N65E-GE3可用于电池保护和充放电管理，提供高效的电流控制和保护功能。 总结来说，SIHP24N65E-GE3凭借其高耐压、低导通电阻和优异的热性能，非常适合需要高效能量转换和精确电流控制的电力电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220ABMOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHP24N65E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHP24N65E-GE3SiHP24N65E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2740pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 122nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 145 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SIHP24N65E-GE3CT |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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