【未分类_STP19NM50N】封装/厂家_STP19NM50N中文资料_价格

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型号： STP19NM50N
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STP19NM50N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP19NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTP19NM50N封装/规格：未分类，暂无。您可以下载STP19NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP19NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STP19NM50N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压（500V）及大电流承载能力等特性，适用于如下的典型应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：用于AC/DC或DC/DC转换器中的主开关元件，实现高效的能量转换。

2. 电机驱动：在工业自动化和家电设备中作为电机控制开关，提供快速响应与稳定性能。

3. 逆变器系统：用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）中，将直流电转换为交流电输出。

4. 照明系统：在高强度气体放电灯（HID）或LED驱动电路中作为高频开关使用。

5. 电池管理系统：用于电动车或储能系统的充放电控制回路中，确保安全高效的能源管理。

6. 消费类电子产品：如电视电源、适配器等对效率与空间有要求的应用场景。

该MOSFET适合工作在中高功率场合，具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，是工业级应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 500V 14A TO-220MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	14 A
Id-连续漏极电流	14 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP19NM50NMDmesh™ II
mouser_ship_limit	此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STP19NM50N
Pd-PowerDissipation	110 W
Pd-功率耗散	110 W
Qg-GateCharge	34 nC
Qg-栅极电荷	34 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	250 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	250 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	16 ns
下降时间	17 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1000pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	34nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	250 毫欧 @ 7A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	497-10577-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF248514?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	17 ns
功率-最大值	110W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	14A （Tc）
系列	STP19NM50N