Datasheet下载- 型号： IRFR224BTM_TC002
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR224BTM_TC002由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR224BTM_TC002价格参考。Fairchild SemiconductorIRFR224BTM_TC002封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR224BTM_TC002参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR224BTM_TC002 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR224BTM_TC002 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于功率场效应晶体管（Power MOSFET），常用于中高功率开关应用。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，因其具备良好的导通电阻（Rds(on)）特性和快速开关性能，适合高效能电源设计。 2. 电机控制：在直流电机驱动器、步进电机控制器中作为功率开关使用，适用于工业自动化、电动工具和机器人控制等场景。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如照明系统、加热元件或风扇等，常见于汽车电子和工业设备中。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中，作为主开关器件进行功率转换。 5. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，特别是在电动自行车、储能系统中，实现高效的能量管理。 该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装，适用于表面贴装工艺，适合高密度PCB布局。其耐压等级为60V，连续漏极电流可达13A，适用于中功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR224BTM_TC002 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
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