Datasheet下载- 型号： SIHB24N65E-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHB24N65E-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHB24N65E-GE3价格参考。VishaySIHB24N65E-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHB24N65E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHB24N65E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHB24N65E-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)： 该器件适用于开关模式电源的设计，例如 DC-DC 转换器、反激式转换器和正激式转换器。其 650V 的击穿电压使其能够承受高电压环境，而低导通电阻（Rds(on)）则有助于降低传导损耗，提高效率。 2. 电机驱动： 在工业控制和消费电子领域中，SIHB24N65E-GE3 可用于驱动中小型电机。它能快速切换并提供稳定的电流输出，同时具备良好的耐热性能，适合长时间运行的电机应用。 3. 太阳能逆变器： 由于其高电压耐受能力和低功耗特性，这款 MOSFET 常用于太阳能逆变器中的功率转换电路，帮助将直流电高效地转换为交流电。 4. 不间断电源 (UPS)： 在 UPS 系统中，该器件可用于电池充放电管理以及逆变电路，确保在市电中断时能够平稳切换到备用电源。 5. 固态继电器 (SSR)： 其高可靠性和快速开关速度使其成为固态继电器的理想选择，可以替代传统的机械继电器，实现更长寿命和更低噪声的操作。 6. PFC 电路 (功率因数校正)： 在需要提升功率因数的应用中，如家电、服务器电源等，SIHB24N65E-GE3 可用于升压 PFC 阶段，优化系统效率并满足严格的 EMC 标准。 7. 电动车窗与座椅调节（汽车电子）： 尽管该型号未专门标注为车规级，但在某些非关键车载应用中也可考虑使用，比如电动车窗升降器或座椅调节装置。 总结来说，SIHB24N65E-GE3 凭借其高电压、低导通电阻及出色的热稳定性，在各种工业、商业和消费类电子产品中都有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAKMOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIHB24N65E-GE3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHB24N65E-GE3SIHB24N65E-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 81 nC |
| Qg-栅极电荷 | 81 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 84 ns |
| 下降时间 | 69 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2740pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 122nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 145 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | SIHB24N65EGE3 |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 7.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 系列 | E |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
