Datasheet下载- 型号： TPN8R903NL,LQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPN8R903NL,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPN8R903NL,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPN8R903NL,LQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPN8R903NL,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPN8R903NL,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPN8R903NL,LQ是东芝半导体（Toshiba Semiconductor and Storage）推出的一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适合在高效率电源管理场景中使用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：常用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）等，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源转换。 2. 电机驱动电路：凭借其高电流处理能力与快速响应特性，适用于小型电机控制，如无人机、电动工具及家用电器中的马达驱动。 3. 负载开关与电源开关应用：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中作为电源通断控制元件，实现低功耗待机与系统保护。 4. 电池供电设备：由于具备低损耗特性，适合用于电池管理系统（BMS）中，提升能效与续航时间。 5. 工业与汽车电子：可用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块，在满足AEC-Q101可靠性标准的部分版本支持下，具备一定的车规级应用潜力。 TPN8R903NL,LQ采用小型化封装（如SOP Advance），有助于节省PCB空间，适合高密度组装环境。其综合性能使其成为追求高效率、小型化设计的现代电子产品中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 630 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A TSONMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPN8R903NL,LQ- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPN8R903NL |
| 产品型号 | TPN8R903NL,LQTPN8R903NL,LQ |
| Pd-PowerDissipation | 22 W |
| Pd-功率耗散 | 22 W |
| Qg-GateCharge | 9.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.3 V |
| 上升时间 | 2.4 ns |
| 下降时间 | 2.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 820pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.9 毫欧 @ 10A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSON高级 |
| 其它名称 | TPN8R903NLLQCT |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | TSON-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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