ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF820APBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF820APBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF820APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF820APBF价格参考。VishayIRF820APBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF820APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF820APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF820APBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS):IRF820APBF因其低导通电阻和高击穿电压特性,适合用于开关电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动:该MOSFET可用于小型直流电机驱动电路中,作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关:在需要高效负载切换的应用中,如电池供电设备、便携式电子产品等,IRF820APBF可以用作负载开关,以减少功耗并提高效率。 4. 逆变器电路:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,这款MOSFET可以用于实现DC-AC转换,提供高效的电力传输。 5. 保护电路:由于其快速开关特性和良好的热稳定性,IRF820APBF适用于过流保护、短路保护等安全电路设计。 6. 音频放大器:在某些音频放大器设计中,该器件可以用作输出级开关,以提高效率并降低失真。 7. 继电器替代方案:在需要固态继电器功能的地方,IRF820APBF可以用来代替传统机械继电器,提供更长寿命和更快响应时间。 总之,IRF820APBF凭借其优异的电气性能,在众多需要高效功率转换和控制的领域中发挥着重要作用。选择具体应用时需根据实际工作条件(如电压、电流、频率等)进行详细评估。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF820APBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF820APBFIRF820APBF |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.5A,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF820APBF |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 功率耗散 | 50 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
| 系列 | IRF/SIHF820 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |