图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRF820APBF
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF820APBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF820APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF820APBF价格参考。VishayIRF820APBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF820APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF820APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRF820APBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):IRF820APBF因其低导通电阻和高击穿电压特性,适合用于开关电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。

2. 电机驱动:该MOSFET可用于小型直流电机驱动电路中,作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。

3. 负载开关:在需要高效负载切换的应用中,如电池供电设备、便携式电子产品等,IRF820APBF可以用作负载开关,以减少功耗并提高效率。

4. 逆变器电路:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,这款MOSFET可以用于实现DC-AC转换,提供高效的电力传输。

5. 保护电路:由于其快速开关特性和良好的热稳定性,IRF820APBF适用于过流保护、短路保护等安全电路设计。

6. 音频放大器:在某些音频放大器设计中,该器件可以用作输出级开关,以提高效率并降低失真。

7. 继电器替代方案:在需要固态继电器功能的地方,IRF820APBF可以用来代替传统机械继电器,提供更长寿命和更快响应时间。

总之,IRF820APBF凭借其优异的电气性能,在众多需要高效功率转换和控制的领域中发挥着重要作用。选择具体应用时需根据实际工作条件(如电压、电流、频率等)进行详细评估。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220ABMOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF820APBF-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF820APBFIRF820APBF

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

3 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

12 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

340pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 欧姆 @ 1.5A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRF820APBF

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

50W

功率耗散

50 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

3 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

2.5 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A (Tc)

系列

IRF/SIHF820

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 30 V

IRF820APBF 相关产品

FQPF5N60CYDTU

品牌:ON Semiconductor

价格:

DN2530N8-G

品牌:Microchip Technology

价格:

AON6500

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IRFH8318TR2PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

FQPF10N60C

品牌:ON Semiconductor

价格:

PSMN012-80BS,118

品牌:Nexperia USA Inc.

价格:

NTB5605T4G

品牌:ON Semiconductor

价格:

STD95N3LLH6

品牌:STMicroelectronics

价格: