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Datasheet下载- 型号： IRL8113PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRL8113PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL8113PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL8113PBF价格参考。International RectifierIRL8113PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRL8113PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL8113PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRL8113PBF的器件是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、快速开关性能的电子电路中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器等，用于提高能效和减小电源体积。 2. 电机控制：在电动工具、风扇、泵类设备中作为开关元件，实现对电机转速与方向的控制。 3. 负载开关：用于智能电源分配系统中，控制不同模块的供电启停。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车或储能系统中的充放电控制与保护。 5. 工业自动化：如PLC、继电器替代方案、伺服驱动器等，提升系统响应速度与可靠性。 6. 消费电子产品：如笔记本电脑、平板、充电器等便携设备中的功率调节模块。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高频率开关能力和较强的热稳定性，适合高频、高效、小型化设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 105A TO-220ABMOSFET MOSFT 30V 105A 23nC 6mOhm Qg log lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 105 A |
| Id-连续漏极电流 | 105 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL8113PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL8113PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRL8113PBF |
| 功率-最大值 | 110W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 7.1 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 23 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 105 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 105A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irl8113sl.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irl8113sl.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
