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Datasheet下载- 型号： SIA414DJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIA414DJ-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA414DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA414DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA414DJ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 8V 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA414DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA414DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA414DJ-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该 MOSFET 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）中，作为高效的开关器件。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供快速开关和低功耗性能，适合消费电子、家用电器和工业自动化设备中的电机控制应用。 3. 负载切换：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，用于电池管理和负载切换，确保高效且稳定的电流传输。 4. 保护电路：可用于过流保护、短路保护和反向 polarity 保护电路中，凭借其高耐用性和快速响应能力，有效保护下游电路免受异常情况的影响。 5. 通信设备：在路由器、交换机和其他网络设备中，作为信号路径上的开关元件，支持高频操作并保持低插入损耗。 6. 汽车电子：符合 AEC-Q101 标准的版本可应用于汽车电子系统，例如车身控制模块、信息娱乐系统和 LED 照明驱动，满足严苛的工作环境要求。 总之，SIA414DJ-T1-GE3 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装形式，广泛适用于需要高效能、小尺寸解决方案的各种电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA414DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA414DJ-T1-GE3SIA414DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 9.7A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA414DJ-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 50 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 8 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/MOSFET.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIA414DJ-GE3 |
