Datasheet下载- 型号： IPB14N03LAT
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB14N03LAT由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB14N03LAT价格参考。InfineonIPB14N03LAT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB14N03LAT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB14N03LAT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IPB14N03LAT是一款N沟道MOSFET，属于低压功率MOSFET系列，具有低导通电阻和高效率特性。该器件广泛应用于对能效和空间布局要求较高的场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备电源管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的DC-DC转换电路；电池供电系统中的负载开关与保护电路；电机驱动模块，用于小型直流电机或步进电机的控制，常见于电动工具、家用电器（如风扇、吸尘器）和电动玩具中；此外，也适用于LED照明驱动电路，提供稳定高效的电流控制。 IPB14N03LAT采用PG-TSDS-6封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热性能，可在较宽温度范围内稳定工作，因此也适用于工业控制、消费类电源适配器及嵌入式系统中的开关电源（SMPS）设计。其快速开关能力和低功耗特性有助于提升整体系统效率，降低发热，是中小功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB14N03LA_Rev1.7_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b4ee844c0 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB14N03LAT |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1043pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.6 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | SP000016324 |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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