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  • 型号: NTD4969N-35G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4969N-35G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4969N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4969N-35G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4969N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4969N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD4969N-35G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适用于以下主要领域:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,用于提高电源转换效率并减小系统功耗。

2. 电机控制:用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路中,实现高效、快速的开关控制。

3. 照明系统:包括LED驱动器和智能照明控制,支持高频率开关和稳定电流调节。

4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业开关电源中用于可靠、高效的功率切换。

5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电源管理系统,适用于对空间和效率要求较高的设计。

6. 汽车电子:用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及辅助电机控制,满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。

该MOSFET采用TSOP封装,便于散热和高密度布局,适合多种中高功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12.7 A

Id-连续漏极电流

12.7 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4969N-35G-

数据手册

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产品型号

NTD4969N-35G

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

1.38 W, 2.56 W, 26.3 W

Pd-功率耗散

26.3 W

Qg-GateCharge

9 nC

Qg-栅极电荷

9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

19 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

19 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

837pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

功率-最大值

1.38W

包装

管件

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短截引线,IPak

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

正向跨导-最小值

36 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.4A (Ta), 41A (Tc)

系列

NTD4969N

配置

Single

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