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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4969N-35G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4969N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4969N-35G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4969N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4969N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4969N-35G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适用于以下主要领域: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,用于提高电源转换效率并减小系统功耗。 2. 电机控制:用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路中,实现高效、快速的开关控制。 3. 照明系统:包括LED驱动器和智能照明控制,支持高频率开关和稳定电流调节。 4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业开关电源中用于可靠、高效的功率切换。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电源管理系统,适用于对空间和效率要求较高的设计。 6. 汽车电子:用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及辅助电机控制,满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。 该MOSFET采用TSOP封装,便于散热和高密度布局,适合多种中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 12.7 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4969N-35G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4969N-35G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.38 W, 2.56 W, 26.3 W |
| Pd-功率耗散 | 26.3 W |
| Qg-GateCharge | 9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 837pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 30A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.38W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 36 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.4A (Ta), 41A (Tc) |
| 系列 | NTD4969N |
| 配置 | Single |