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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU430APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU430APBF价格参考。VishayIRFU430APBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFU430APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFU430APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFU430APBF 是由 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其典型的应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRFU430APBF 的高电压耐受能力(最高 500V)和低导通电阻(Rds(on) = 0.95Ω @ Vgs=10V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动与控制: 在中小功率电机驱动中,该器件可用于实现高效的开关控制,支持无刷直流电机(BLDC)、步进电机或其他类型的电机驱动电路。 3. 逆变器电路: 适用于小型光伏逆变器、UPS(不间断电源)或其他需要将直流电转换为交流电的设备中,提供可靠的开关性能。 4. 负载开关与保护电路: 可用于各种负载开关场景,通过快速开启/关闭功能来保护下游电路免受过流或短路的影响。 5. 电子镇流器与照明控制: 在荧光灯电子镇流器或 LED 照明驱动电路中,IRFU430APBF 能够提供稳定的电流调节和高效的能量转换。 6. 继电器替代方案: 在需要频繁切换的电路中,可以用此 MOSFET 替代传统机械继电器,以提高可靠性和延长使用寿命。 7. 音频功率放大器: 作为输出级开关元件,应用于 D 类音频放大器中,实现高效能的声音信号放大。 8. 电池管理系统(BMS): 在电动汽车、储能系统或便携式设备的电池管理中,用作充放电路径的开关或保护机制。 总结来说,IRFU430APBF 凭借其高压特性、良好的热稳定性和较低的导通损耗,在电力电子领域有着广泛的应用前景,特别适合于需要高效率、高可靠性以及紧凑设计的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5A I-PAKMOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU430APBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91276 |
| 产品型号 | IRFU430APBFIRFU430APBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.7 欧姆 @ 3A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 其它名称 | *IRFU430APBF |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |