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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI840GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI840GPBF价格参考。VishayIRFI840GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFI840GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI840GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFI840GPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电子电路中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能转换和稳压控制。 2. 电机控制:在直流电机驱动器、步进电机控制器以及电动工具中,作为高速开关元件使用。 3. 负载开关:用于智能电源分配系统中,控制对特定负载的供电开启与关闭,如服务器、工业控制设备中的电源管理模块。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和小型逆变器中,用于将直流电转换为交流电的过程。 5. 电池管理系统(BMS):在电池充放电保护电路中,作为高效率开关使用。 6. 汽车电子:如车载电源系统、LED照明驱动等,因其具备较高的可靠性和耐压能力。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热稳定性,适合中高功率、高频应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FPMOSFET N-Chan 500V 4.6 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.6 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI840GPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFI840GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 2.8A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFI840GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |