Datasheet下载- 型号： IXTH12N90
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH12N90由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH12N90价格参考。IXYSIXTH12N90封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH12N90参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH12N90 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH12N90是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管类别。其主要参数包括：最大漏极电流约12A，漏源击穿电压高达900V，适用于高电压和中等功率的应用场景。 该器件广泛应用于以下领域： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，用于高效能电能转换。 2. 工业控制系统：可用于电机驱动、逆变器、UPS不间断电源等工业自动化设备中。 3. 照明系统：在高强度气体放电灯（HID）或LED驱动电路中作为高频开关元件使用。 4. 消费类电子产品：如大功率充电器、智能家电中的功率控制模块。 5. 新能源领域：例如太阳能逆变器、风力发电变流装置中，作为核心开关器件。 IXTH12N90具备低导通电阻、高耐压特性及良好的热稳定性，适合高频开关操作，有助于提升系统效率与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTH12N90 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MegaMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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