Datasheet下载- 型号： IRL1004LPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL1004LPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL1004LPBF价格参考。International RectifierIRL1004LPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL1004LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL1004LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRL1004LPBF的MOSFET，属于低电压N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能、低导通电阻和快速开关特性的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。 2. 电机控制：用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中，常见于工业自动化设备、机器人和电动工具。 3. 电池供电设备：由于其低导通电阻（Rds(on)）和低栅极电荷，适合用于电池管理系统（BMS）和便携式电子设备中，以提高能效和延长电池寿命。 4. 汽车电子：如车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 5. 工业自动化与控制：用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代和负载切换等场景，提供高效、可靠的开关性能。 该器件采用TO-220封装，散热性能良好，适用于中高功率应用。其逻辑电平栅极驱动特性，使其可直接由微控制器或逻辑电路控制，简化了设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 130A TO-262MOSFET MOSFT 40V 110A 6.5mOhm 66.7nC LogLv |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL1004LPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL1004LPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 66.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 66.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 78A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRL1004LPBF |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 9 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 110 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
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