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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI7N80TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI7N80TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI7N80TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQI7N80TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQI7N80TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI7N80TU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等,作为高效开关元件使用。 2. 电机驱动:用于直流电机或步进电机的控制电路中,提供高效率和快速开关性能。 3. 照明系统:如LED驱动电源,适用于需要高稳定性和高效率的照明应用。 4. 家电控制:如电磁炉、电饭煲等家用电器中的功率控制部分。 5. 工业自动化设备:在PLC、变频器、继电器替代方案中用作功率开关。 该器件具有低导通电阻、高耐压(800V)、封装小巧等特点,适合高效率、高可靠性的电力电子设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAKMOSFET 800V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQI7N80TUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQI7N80TU |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 3.3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 95 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.084 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A (Tc) |
| 系列 | FQI7N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQI7N80TU_NL |