ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF1018EPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF1018EPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1018EPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1018EPBF价格参考¥2.46-¥2.46。International RectifierIRF1018EPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF1018EPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF1018EPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF1018EPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的晶体管,属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的单通道类型。该型号的MOSFET广泛应用于多种电子设备和场景中,以下是一些主要的应用领域: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:IRF1018EPBF可以用作开关元件,在DC-DC转换器中实现电压调节和转换,提供高效、稳定的电源输出。 - 开关电源(SMPS):在开关模式电源中,作为高频开关器件,用于提高能效并减少能量损耗。 - 电池管理系统:用于电池充放电控制、过流保护以及负载切换。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器(如风扇、水泵等)中的直流电机驱动,提供精确的速度和方向控制。 - H桥电路:在H桥电路中用作功率开关,实现电机正反转和制动功能。 3. 照明系统 - LED驱动:用于大功率LED照明系统的驱动电路中,确保LED灯的亮度稳定并延长使用寿命。 - 调光控制:通过PWM(脉宽调制)技术实现LED或荧光灯的亮度调节。 4. 信号放大与传输 - 信号开关:用于低频信号的开关和放大,适用于通信设备、传感器接口等场景。 - 负载切换:在需要快速切换负载的场合,如汽车电子系统中,用于控制各种负载的通断。 5. 工业自动化 - 继电器替代:由于其快速开关特性和高可靠性,可以替代传统机械继电器,用于工业控制中的负载切换。 - PLC模块:在可编程逻辑控制器(PLC)中,作为输出端的功率开关,驱动外部负载。 6. 消费类电子产品 - 音频放大器:在某些低失真音频放大器中,作为功率输出级的一部分。 - 游戏设备:用于手柄振动马达驱动、散热风扇控制等。 总结 IRF1018EPBF凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,成为许多电力电子应用的理想选择。它适用于需要高效功率转换、快速响应和可靠运行的场景,特别适合中小功率范围内的各种应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 79A TO-220ABMOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 79 A |
Id-连续漏极电流 | 79 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF1018EPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF1018EPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
Qg-GateCharge | 46 nC |
Qg-栅极电荷 | 46 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.4 毫欧 @ 47A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 110W |
功率耗散 | 110 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 7.5 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 46 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 79 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 79A (Tc) |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | 20 V |