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  • 型号: BSN254,126
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSN254,126由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSN254,126价格参考。NXP SemiconductorsBSN254,126封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSN254,126参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSN254,126 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSN254,126 是 NXP USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于低电压、中功率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高速开关特性,适合多种电子电路设计。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器和负载开关,实现高效能电能转换与分配。

2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,适用于玩具、风扇、泵等低压电机控制。

3. LED照明:用于LED驱动电路中,作为恒流或开关控制元件,实现高效照明控制。

4. 汽车电子:适用于汽车中的辅助电机控制、灯控系统及车载电源系统。

5. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)中的继电器替代、传感器驱动和执行器控制。

6. 消费电子产品:如充电器、便携式设备、智能家居设备中的电源开关和负载控制。

该MOSFET采用小型封装(如SOT143),适合空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适用于广泛工业和商业场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 250V 310MA SOT54

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BSN254,126

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

120pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5 欧姆 @ 300mA,10V

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

934004930126
BSN254 AMO
BSN254 AMO-ND

功率-最大值

1W

包装

带盒(TB)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

标准包装

2,000

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

310mA (Ta)

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