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Datasheet下载- 型号： SI4472DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4472DY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4472DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4472DY-T1-E3价格参考。VishaySI4472DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 7.7A（Tc） 3.1W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4472DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4472DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4472DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关，提高电源转换效率，适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备的电源系统。 2. 电池供电设备：由于其低导通电阻（Rds(on)）和小封装，适合用于电池管理系统（BMS）中，实现对电池充放电的高效控制。 3. 电机控制与负载开关：在小型电机驱动、继电器替代和高侧开关应用中表现优异，适用于工业自动化和消费类电子产品。 4. 汽车电子：符合 AEC-Q100 标准，适用于汽车中的辅助电源系统、车载娱乐系统和 LED 照明控制等场景。 5. 负载保护电路：可作为高侧开关用于过流保护、热插拔控制和电源冗余系统中，提升系统稳定性和安全性。 该器件采用 8-SOIC 小型封装，具备良好的热性能和高可靠性，适合空间受限且对效率要求较高的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOICMOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4472DY-T1-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4472DY-T1-E3SI4472DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 6 ns, 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1735pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4472DY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 5.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.7A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4472DY-E3 |
