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Datasheet下载- 型号： STP70N10F4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP70N10F4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP70N10F4价格参考。STMicroelectronicsSTP70N10F4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 65A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3。您可以下载STP70N10F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP70N10F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP70N10F4 是由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道 MOSFET，具有多种应用场景。以下是该型号的主要应用场景及特点： 1. 电源管理与转换 STP70N10F4 常用于开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高电流应用中能够减少功率损耗，提高效率。该器件的耐压为 100V，适合应用于中低压电源系统，如笔记本电脑适配器、LED 驱动电源等。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。由于其较低的导通电阻和较高的电流承载能力（最大连续漏极电流可达 70A），它可以有效地控制电机的启停和调速，同时保持较低的发热水平，延长使用寿命。 3. 工业自动化 在工业自动化领域，STP70N10F4 可用于控制各种执行器和传感器。例如，在可编程逻辑控制器（PLC）中，它可以作为输出级开关，用于控制电磁阀、继电器等设备的通断。此外，它还可以用于工业机器人的关节驱动电路中，确保精确的运动控制。 4. 电池管理系统 STP70N10F4 在电池管理系统（BMS）中也有广泛应用。它可以用于电池组的充放电保护电路，防止过充、过放和短路等情况发生。通过快速响应和低功耗特性，它可以有效延长电池寿命并提高系统的安全性。 5. 汽车电子 在汽车电子领域，STP70N10F4 可用于车载电源管理、电动助力转向系统（EPS）、刹车系统（ABS）等。其良好的热性能和可靠性使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作，满足汽车电子对安全性和可靠性的高要求。 总结 STP70N10F4 凭借其低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化、电池管理和汽车电子等领域。其高效、可靠的特点使其成为许多设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 65A TO-220MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
| Id-连续漏极电流 | 65 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP70N10F4DeepGATE™， STripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP70N10F4 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 497-8812-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF218798?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Tc） |
| 系列 | STP70N10F4 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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