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Datasheet下载- 型号： RSS065N06FU6TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RSS065N06FU6TB产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSS065N06FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSS065N06FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorRSS065N06FU6TB封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 6.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP。您可以下载RSS065N06FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSS065N06FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSS065N06FU6TB 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括以下方面： 1. 电源管理：RSS065N06FU6TB 具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于高效能的电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电池充电电路。它能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。 2. 电机驱动：该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关控制。其快速开关特性和低功耗使其非常适合需要频繁启停或调速的应用场景。 3. 负载开关：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和其他消费电子产品）中，RSS065N06FU6TB 可用作负载开关，实现对不同功能模块的动态供电管理，以降低待机功耗并优化电池寿命。 4. 保护电路：此器件可应用于过流保护、短路保护和热关断保护等电路中，确保系统在异常情况下能够安全运行。其内置的保护机制增强了系统的可靠性和稳定性。 5. 音频设备：RSS065N06FU6TB 也可用于音频放大器中的开关应用，例如 D 类放大器的输出级，提供高效率和低失真的性能表现。 总之，RSS065N06FU6TB 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装设计，广泛适用于各种需要高效能、低功耗和高可靠性的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOICMOSFET MOSFET; 30V 6.5A N CHANNEL |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSS065N06FU6TB- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSS065N06FU6TB |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | RSS065N06FU6TBDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A （Ta） |
