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Datasheet下载- 型号： TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TJ8S06M3L(T6L1,NQ)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TJ8S06M3L(T6L1,NQ)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TJ8S06M3L(T6L1,NQ)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TJ8S06M3L(T6L1,NQ)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TJ8S06M3L(T6L1,NQ) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的型号为TJ8S06M3L(T6L1,NQ)的晶体管属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，主要用于需要高效功率控制和开关功能的应用场景。 该器件适用于消费类电子产品、工业自动化设备以及电源管理系统中。例如，在笔记本电脑、平板电脑或智能手机等便携式设备中，它可以用于电源管理电路，实现对电池供电的高效控制。在电机驱动、DC-DC转换器、负载开关及LED照明调光电路中，TJ8S06M3L也能发挥出色的性能。 此外，该MOSFET具备低导通电阻、高开关速度和小型封装的特点，适合空间受限且要求高效率的设计场合。其稳健的结构也使其能够应用于汽车电子系统中，如车载充电系统或辅助电机控制模块。 总之，TJ8S06M3L(T6L1,NQ)是一款多功能、高可靠性的功率MOSFET，广泛用于各种中小型功率电子设备中的电能控制与转换应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ8S06M3L点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 104 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK+ |
| 其它名称 | TJ8S06M3L(T6L1NQ) |
| 功率-最大值 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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