| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF530STRRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF530STRRPBF价格参考。VishayIRF530STRRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF530STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF530STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix生产的IRF530STRRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件广泛应用于需要中高功率开关控制的场合。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块中,因其具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提高能效并减少发热。 2. 电机驱动:适用于小型直流电机、步进电机或伺服系统的驱动电路,广泛用于工业控制、自动化设备及电动工具中。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等能量转换设备中,作为核心开关元件实现直流到交流的转换。 4. 照明控制:可用于高强度放电灯(HID)、LED驱动电源等照明系统中的高频开关控制。 5. 消费电子与汽车电子:如车载电源适配器、继电器替代电路、电池保护板等,得益于其可靠性和符合RoHS的环保设计(后缀PbF表示无铅)。 IRF530STRRPBF采用表面贴装封装(如D²PAK),便于自动化生产,并具备良好的热性能和电流承载能力(持续漏极电流约14A,耐压100V),适合紧凑型高密度电路设计。其稳健的雪崩能量耐受能力和抗瞬态干扰特性,也增强了系统可靠性。总体而言,该MOSFET适用于多种中功率开关应用,尤其在追求高效率与小型化的电子设备中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 14A D2PAKMOSFET N-Chan 100V 14 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF530STRRPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91020 |
| 产品型号 | IRF530STRRPBFIRF530STRRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 8.4A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
| 其它名称 | IRF530STRRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |