Datasheet下载- 型号： TK20P04M1,RQ(S
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK20P04M1,RQ(S由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK20P04M1,RQ(S价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK20P04M1,RQ(S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK20P04M1,RQ(S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK20P04M1,RQ(S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK20P04M1,RQ(S) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 P沟道增强型功率MOSFET，其应用场景主要包括以下领域： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、同步整流、电压调节模块（VRM）等，用于提高电源转换效率。 2. 负载开关：在电源管理系统中作为高效开关，控制电源通断，如笔记本电脑、服务器、通信设备中的电源管理。 3. 马达驱动：用于小型马达或风扇控制电路中，实现高效能与低导通损耗。 4. 电池供电设备：广泛应用于电池供电的便携式设备，如智能手机、平板电脑、无人机等，因其具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率。 5. 汽车电子系统：用于车载电源系统、车载充电器、电池管理系统（BMS）等，具备良好的热稳定性和可靠性。 6. 工业控制系统：用于工业自动化设备、PLC、传感器供电控制等，提供稳定的功率控制能力。 该器件具有高耐压、低导通电阻、封装小巧、适合表面贴装等优点，适用于高效率、高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK20P04M1点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK20P04M1,RQ(S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 985pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 29 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | TK20P04M1RQ(S |
| 功率-最大值 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
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