Datasheet下载- 型号： FDPF12N50FT
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF12N50FT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF12N50FT价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF12N50FT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDPF12N50FT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF12N50FT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF12N50FT 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS) - FDPF12N50FT 的高电压耐受能力（500V 额定击穿电压）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用，例如反激式、正激式或半桥/全桥拓扑结构。 - 在这些电路中，MOSFET 负责高频开关操作，以实现高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 该器件可用于工业和消费类电机驱动器中，作为主功率开关或辅助开关。 - 其低导通电阻（Rds(on) = 2.9Ω @ Vgs=10V）有助于减少功耗并提高效率，适合中小型电机控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，FDPF12N50FT 可用作高频开关元件，将直流电转换为交流电。 - 它的高电压特性能够适应较高输入电压的应用场景。 4. DC-DC 转换器 - 适用于升压、降压或升降压 DC-DC 转换器，特别是在需要处理较高输入电压的情况下。 - 其快速开关特性和低损耗设计有助于提升转换效率。 5. 电磁阀和继电器驱动 - FDPF12N50FT 可用于驱动电磁阀或继电器等负载，尤其是在需要承受高瞬态电压的场合。 - 它的高雪崩能力和鲁棒性可以保护电路免受过压损坏。 6. 家电产品 - 在家用电器（如空调、洗衣机、冰箱等）中，该 MOSFET 可用于功率控制模块，提供高效且可靠的开关功能。 7. 电动汽车和电动工具 - 该器件可用于电动车窗、电动座椅调节系统以及电动工具的功率控制部分。 - 其紧凑的封装形式（TO-220 Fullpak）便于集成到空间受限的设计中。 总结 FDPF12N50FT 凭借其高电压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种需要高效功率管理的领域。无论是工业设备还是消费电子产品，它都能提供出色的性能和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220FMOSFET 500V N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF12N50FTUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF12N50FT |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 700 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 700 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1395pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220F |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.5A （Tc） |
| 系列 | FDPF12N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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