ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXTA60N10T
Datasheet下载- 型号： IXTA60N10T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IXTA60N10T产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA60N10T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA60N10T价格参考。IXYSIXTA60N10T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 176W（Tc） TO-263（IXTA）。您可以下载IXTA60N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTA60N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTA60N10T是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压（100V）和大电流承载能力（60A），适用于高效率电源转换系统。 典型应用场景包括： 1. 电源供应器：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，实现高效的能量转换。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机控制电路中作为功率开关，提供快速响应和良好热稳定性。 3. 逆变器与变频器：用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等设备中的功率控制模块。 4. 电池管理系统：在高功率电池充放电控制电路中用作开关元件。 5. 工业自动化设备：如PLC控制输出、负载开关等，适合需要频繁开关操作的工业环境。 其TO-220封装形式便于散热，适用于中高功率应用。该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，适合在较为严苛的工业环境中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTA60N10T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMV™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 （IXTA） |
| 功率-最大值 | 176W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
