Datasheet下载- 型号： FDB6670AS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB6670AS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB6670AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDB6670AS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB6670AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB6670AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB6670AS是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET器件，常用于电源管理和功率转换应用中。该器件为单个N沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻、高效率和良好热性能的特点，适合高电流和高频工作环境。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高能效和减小系统功耗。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的驱动电路，提供快速开关和稳定控制。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源开关和功率控制。 4. 工业控制：在工业自动化设备中用于开关控制和功率调节。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET封装小巧，适合高密度PCB布局，广泛应用于需要高效能与小体积兼顾的设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 62A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB6670AS |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 15V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 31A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 62A （Ta） |
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