Datasheet下载- 型号： FQI8N60CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI8N60CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI8N60CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI8N60CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI8N60CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI8N60CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI8N60CTU是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型高压MOSFET，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。其主要应用场景包括：开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、消费类电子设备（如电视、音响、机顶盒等）的待机电源电路，以及工业控制和电源模块。 该器件具备600V的漏源击穿电压和8A的连续漏极电流能力，适合在高电压、中等电流条件下工作。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高整体能效。此外，采用TO-220F或类似封装，具有良好的热性能和电气绝缘特性，适用于对散热和安全要求较高的设计。 FQI8N60CTU还常用于反激式、正激式等拓扑结构的电源转换电路中，作为主开关管使用。其快速开关特性支持高频工作，有助于减小变压器和滤波元件的体积，实现电源小型化。同时，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和可靠性，适应恶劣工作环境，提升系统稳定性。 综上，FQI8N60CTU是一款适用于中高功率开关电源领域的高性能MOSFET，特别适合追求高效率、高集成度和长期稳定运行的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAKMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQI8N60CTUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQI8N60CTU |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
| Pd-功率耗散 | 3.13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 60.5 ns |
| 下降时间 | 64.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1255pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 81 ns |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.084 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 8.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Tc） |
| 系列 | FQI8N60C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQI8N60CTU_NL |
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