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产品简介:
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FQPF14N30是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于中高功率开关场合。其主要特点包括300V的高漏源击穿电压、14A的连续漏极电流能力以及较低的导通电阻,具备优良的开关效率和热稳定性。 该器件典型的应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC和DC-DC转换器,如电源适配器、电脑电源、LED驱动电源等,因其高耐压和高效开关性能,有助于提升电源整体效率。 2. 电机控制:用于工业控制、家用电器(如风扇、洗衣机)中的直流或交流电机驱动电路,实现对电机启停和转速的精确控制。 3. 逆变器系统:在太阳能逆变器或不间断电源(UPS)中作为核心开关元件,负责将直流电转换为交流电。 4. 照明系统:用于大功率LED照明调光与驱动电路,支持PWM调光方式,节能且响应速度快。 5. 电源管理模块:在电池充电管理、负载开关等应用中提供高效的功率控制。 FQPF14N30采用TO-220封装,便于散热安装,适合需要高可靠性和紧凑设计的工业与消费类电子产品。凭借安森美在功率器件领域的技术积累,该型号在稳定性、耐用性和性价比方面表现优异,是中等功率应用中的常用选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 300V 8.5A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF14N30 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 290 毫欧 @ 4.25A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.5A (Tc) |