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  • 型号: PSMN5R6-100XS,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R6-100XS,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R6-100XS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R6-100XS,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN5R6-100XS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN5R6-100XS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN5R6-100XS,127 是 NXP USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于需要高效能功率转换的场景。

主要应用场景包括:  
1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器中,尤其在同步整流电路中提升效率,适用于服务器、通信设备和工业电源系统。  
2. 电机驱动:因其快速开关特性和低损耗,常用于工业电机控制、电动工具及家用电器中的直流电机驱动电路。  
3. 照明系统:在高亮度 LED 驱动电源中作为开关元件,实现高效恒流控制,适用于商业和户外照明方案。  
4. 新能源领域:可用于太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块,提高整体能源利用效率。  
5. 汽车电子:尽管非车规级主控器件,但仍可应用于车载辅助电源系统或电动车附件控制单元中。

该 MOSFET 工作电压达 100V,适合中压应用环境,结合其优异的热性能和封装设计(如 LFPAK 或类似),可在紧凑空间内实现高功率密度设计。其高可靠性与稳定性使其成为工业与消费类电子产品中理想的功率开关元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220FMOSFET N-CH 100V 5.6 MOHMS STD LVL MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

43.7 A

Id-连续漏极电流

43.7 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R6-100XS,127-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

PSMN5R6-100XS,127

Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8061pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

145nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.6 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

其它名称

568-9496-5
934066041127
PSMN5R6-100XS,127-ND
PSMN5R6-100XS127
PSMN5R6100XS127

功率-最大值

60W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 隔离片

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

61.8A (Tmb)

配置

Single

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