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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7701TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7701TRPBF价格参考。International RectifierIRF7701TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7701TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7701TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRF7701TRPBF 的场效应晶体管(MOSFET),属于单个N沟道MOSFET器件,广泛应用于需要高效功率开关的场合。 该MOSFET常用于 电源管理 和 DC-DC转换器 设计中,适用于如 笔记本电脑、服务器、通信设备和工业控制系统 等电子产品中的功率转换模块。由于其具有低导通电阻(Rds(on))、高频率响应和良好的热稳定性,适合用于 同步整流、负载开关和马达控制 等场景。 此外,IRF7701TRPBF 也适用于电池供电设备,有助于提高能源效率并延长电池续航时间。其封装形式为 TSSOP,适合表面贴装,适应自动化生产流程,广泛应用于中小型功率的电子系统中。 总结来说,该器件适用于对效率、空间和稳定性有要求的中低功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRF7701TRPBF |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5050pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 10A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | IRF7701TRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7701.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7701.spi |