Datasheet下载- 型号： SIS435DNT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS435DNT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS435DNT-T1-GE3价格参考。VishaySIS435DNT-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIS435DNT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS435DNT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIS435DNT-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - 作为开关元件用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等。 - 高效的导通和开关特性使其适用于高频开关电源设计。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。 - 提供低导通电阻（Rds(on)），减少功耗并提高效率。 3. 负载开关 - 在便携式设备中用作负载开关，控制电路的通断。 - 快速开关速度和低漏电流适合电池供电设备。 4. 电池管理 - 应用于锂电池保护电路，实现过流、短路保护。 - 用于电池充电管理系统中的充放电路径控制。 5. 逆变器 - 在小型光伏逆变器或信号逆变器中作为开关元件。 - 其低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率。 6. LED 驱动 - 用于恒流或恒压 LED 驱动电路。 - 控制 LED 的亮度调节和保护功能。 7. 汽车电子 - 在车载电子系统中，如车窗升降、座椅调节等电机控制。 - 符合 AEC-Q101 标准的版本可用于更严苛的汽车环境。 8. 消费电子产品 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电源管理模块。 - 用于 USB-PD（电源传输）电路中的快速开关。 特性优势： - 低导通电阻：降低功率损耗，提高效率。 - 高切换频率：适合高频应用，减小滤波器尺寸。 - 高可靠性：适用于工业和消费类电子产品的多种工作条件。 总之，SIS435DNT-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于需要高效功率转换和精确控制的各种场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8MOSFET 20V .0054ohm@4.5V 30A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 22 A |
| Id-连续漏极电流 | - 22 A |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay Semiconductors SIS435DNT-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS435DNT-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5700pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.4 毫欧 @ 13A， 4.5V |
| 产品种类 | P-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS435DNT-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 39W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPak-1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 55 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | SISxxxDN |
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