Datasheet下载- 型号： IRLL3303PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL3303PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL3303PBF价格参考。International RectifierIRLL3303PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLL3303PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLL3303PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRLL3303PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） IRLL3303PBF具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电流的通断，从而实现电压转换和调节。 2. 电机驱动 该型号适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其低导通电阻和良好的热性能，可以有效降低功耗并提高效率。 3. 电池管理 在锂电池保护板或其他电池管理系统中，IRLL3303PBF可以用作负载开关或保护开关，确保电池的安全充放电。 4. LED驱动 该MOSFET适用于恒流或恒压LED驱动电路，特别是在中小功率LED照明应用中，可实现精确的电流控制和高效的能量转换。 5. 信号切换 在需要高速信号切换的应用中，例如音频信号切换、数据通信接口等，IRLL3303PBF凭借其低栅极电荷和快速响应能力表现出色。 6. 汽车电子 虽然IRLL3303PBF并非专为汽车级设计，但在一些非关键车载应用中（如车窗升降器、座椅调节等），它可以作为低成本解决方案使用。 7. 消费类电子产品 包括智能手机充电器、平板电脑适配器、家用电器（如风扇、水泵控制器）等，都可以利用IRLL3303PBF实现高效能的电力管理和控制。 总结来说，IRLL3303PBF因其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于各种低至中功率的电子设备中，尤其是在需要高效开关和低损耗的场景下表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 34nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL3303PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLL3303PBF |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 840pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 4.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 80 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 80 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irll3303.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irll3303.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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