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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT86256由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT86256价格参考。Fairchild SemiconductorFDT86256封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDT86256参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT86256 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的FDT86256是一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。这款器件具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: FDT86256常用于DC-DC转换器、开关模式电源(SMPS)、降压/升压转换器等电源管理系统中。其低Rds(on)特性能够降低导通损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中,如无人机、电动工具、家用电器等,FDT86256可用于控制电机的启停和调速,提供高效且可靠的开关性能。 3. 负载开关: 作为负载开关,FDT86256可以实现对下游电路的快速开启或关闭,同时减少功率损耗,适用于消费类电子产品(如智能手机、平板电脑)中的电源管理模块。 4. 电池保护与管理: 在电池组保护电路中,该MOSFET可用来防止过流、短路等情况,确保电池的安全性和使用寿命。 5. 信号切换: 在通信设备和工业控制系统中,FDT86256可用作信号切换元件,支持高速数据传输的同时保持低功耗。 6. 汽车电子: 虽然FDT86256并非专门设计为车规级器件,但在一些非关键性车载应用中(如照明控制、娱乐系统),它也能发挥作用。 总结来说,FDT86256凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及部分汽车电子领域,适合需要高效功率转换和低损耗开关操作的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4MOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT86256PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDT86256 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| Qg-GateCharge | 1.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 695 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 695 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| 上升时间 | 1.7 ns |
| 下降时间 | 2.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 73pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 845 毫欧 @ 1.2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 |
| 其它名称 | FDT86256DKR |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 188 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 695 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 150 V |
| 漏极连续电流 | 1.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.2A (Ta), 3A (Tc) |
| 系列 | FDT86256 |
| 配置 | Single |