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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDT86256由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDT86256价格参考。Fairchild SemiconductorFDT86256封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDT86256参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDT86256 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的FDT86256是一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。这款器件具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: FDT86256常用于DC-DC转换器、开关模式电源(SMPS)、降压/升压转换器等电源管理系统中。其低Rds(on)特性能够降低导通损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中,如无人机、电动工具、家用电器等,FDT86256可用于控制电机的启停和调速,提供高效且可靠的开关性能。 3. 负载开关: 作为负载开关,FDT86256可以实现对下游电路的快速开启或关闭,同时减少功率损耗,适用于消费类电子产品(如智能手机、平板电脑)中的电源管理模块。 4. 电池保护与管理: 在电池组保护电路中,该MOSFET可用来防止过流、短路等情况,确保电池的安全性和使用寿命。 5. 信号切换: 在通信设备和工业控制系统中,FDT86256可用作信号切换元件,支持高速数据传输的同时保持低功耗。 6. 汽车电子: 虽然FDT86256并非专门设计为车规级器件,但在一些非关键性车载应用中(如照明控制、娱乐系统),它也能发挥作用。 总结来说,FDT86256凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及部分汽车电子领域,适合需要高效功率转换和低损耗开关操作的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4MOSFET 150V NCh MOSFET PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDT86256PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDT86256 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
Pd-功率耗散 | 2.3 W |
Qg-GateCharge | 1.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 1.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 695 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 695 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
上升时间 | 1.7 ns |
下降时间 | 2.6 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 73pF @ 75V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 845 毫欧 @ 1.2A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223-4 |
其它名称 | FDT86256DKR |
功率-最大值 | 2.3W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 188 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 695 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 0.3 S |
汲极/源极击穿电压 | 150 V |
漏极连续电流 | 1.2 A |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.2A (Ta), 3A (Tc) |
系列 | FDT86256 |
配置 | Single |