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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N60TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD1N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD1N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD1N60TM是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有600V的漏源击穿电压和1.5A的连续漏极电流能力,适用于中低功率的开关电源、适配器、LED照明驱动、电机控制以及家用电器等场景。 在开关电源(SMPS)中,FQD1N60TM可用于反激式或正激式拓扑结构中的主开关元件,实现高效的能量转换。其高耐压特性使其适合用于AC-DC转换器中,特别是在输入电压较高的应用中表现稳定。此外,该器件的低导通电阻和快速开关特性有助于减少导通损耗和开关损耗,提高整体系统效率。 在LED照明领域,FQD1N60TM可用于LED驱动电源的功率开关,支持恒流输出控制,适用于室内和户外照明系统。在电机控制方面,该MOSFET可用于直流电机或步进电机的驱动电路,提供可靠的开关性能。 由于其封装小巧、性能稳定,FQD1N60TM也广泛应用于各类消费电子产品、工业控制设备和小型电源模块中,适合对空间和效率有较高要求的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD1N60TM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.5 欧姆 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Tc) |