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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW33N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW33N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTW33N60M2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW33N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW33N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW33N60M2是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)和较大电流承载能力(约33A),适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器及电机控制等场景。 常见应用包括工业电源、UPS(不间断电源)、新能源系统(如光伏逆变器)以及家用电器中的功率控制模块。其优异的热稳定性和封装设计(如TO-247)也使其适合在高功率密度和高温环境下工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 26A TO-247MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 26 A |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW33N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW33N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 45.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 45.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 108 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 108 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 9.6 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1781pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 125 毫欧 @ 13A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-14293-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 109 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 26A (Tc) |
| 系列 | STW33N60M2 |
| 配置 | Single |