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Datasheet下载- 型号： IRFBE30SPBF
- 制造商： Vishay
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IRFBE30SPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBE30SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBE30SPBF价格参考￥12.20-￥22.69。VishayIRFBE30SPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFBE30SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBE30SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFBE30SPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于开关电源中的高频开关应用，如DC-DC转换器、降压或升压电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于降低功耗，提高效率。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、转向和速度调节。 3. 负载切换：在需要快速开启或关闭负载电流的应用中，例如汽车电子、工业控制设备或消费类电子产品，IRFBE30SPBF可以实现高效的负载切换。 4. 电池管理：用于电池保护电路中，作为充电/放电路径的开关，确保过流、短路等异常情况下的安全保护。 5. 逆变器：在小型逆变器设计中，该MOSFET可用作开关元件，将直流电转换为交流电，适用于太阳能微逆变器或其他便携式逆变设备。 6. 音频功放：在D类音频放大器中，作为输出级开关器件，提供高效能的声音信号放大。 7. LED驱动：在高亮度LED照明系统中，用于恒流源电路以精确控制LED亮度并延长其寿命。 8. 电信与网络设备：应用于通信基站、路由器等设备中的电源管理模块，支持稳定的电压输出和高效的能量转换。 由于IRFBE30SPBF具有良好的电气性能（如耐压高达100V，最大连续漏极电流可达23A），并且采用TO-220封装形式便于散热处理，因此非常适合上述对功率效率要求较高且工作环境较为严苛的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAKMOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91119 |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBE30SPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91119 |
| 产品型号 | IRFBE30SPBFIRFBE30SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFBE30SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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