ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > RJK0330DPB-01#J0
Datasheet下载- 型号： RJK0330DPB-01#J0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJK0330DPB-01#J0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJK0330DPB-01#J0价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJK0330DPB-01#J0封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 45A（Ta） 55W（Tc） LFPAK。您可以下载RJK0330DPB-01#J0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJK0330DPB-01#J0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America 的 RJK0330DPB-01#J0 是一款N沟道MOSFET，属于单功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低导通电阻和高开关速度的电源管理系统中。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流电路和电压调节模块（VRM），适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源转换。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，如风扇驱动、电动工具和家用电器中的直流电机控制。 3. 电池供电设备：由于其低导通电阻（RDS(on)）和低功耗特性，适合用于便携式设备（如移动电源、充电器、手持终端）中的负载开关或电源切换。 4. 照明系统：可用于LED驱动电路，实现高效恒流控制和调光功能。 5. 工业控制与自动化：作为固态继电器或开关元件，用于PLC模块、传感器电源控制等工业应用。 该器件具备高耐压、低栅极电荷和优良的热稳定性，适合高频开关操作，有助于提升系统效率并减少散热需求。其封装形式便于贴装，适用于紧凑型高密度PCB设计。总体而言，RJK0330DPB-01#J0是一款高性能功率MOSFET，适用于对能效和可靠性要求较高的中低功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJK0330DPB-01#J0 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 其它名称 | RJK0330DPB-01#J0DKR |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Ta） |
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