Datasheet下载- 型号： NTGS3441BT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGS3441BT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGS3441BT1G价格参考。ON SemiconductorNTGS3441BT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGS3441BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGS3441BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGS3441BT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的应用场景：
1. 电源管理
- NTGS3441BT1G 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 6.5mΩ @ Vgs=10V）使其非常适合用于高效能的电源管理系统。例如：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电池充电电路
2. 电机驱动
- 由于其高电流承载能力和快速开关特性，该 MOSFET 可广泛应用于小型电机驱动电路中，例如：
- 风扇控制
- 泵驱动
- 伺服电机控制
3. 负载开关
- 在需要快速切换负载的场景中，NTGS3441BT1G 可作为高效的负载开关使用，适用于：
- USB 充电端口保护
- 移动设备中的电源路径管理
- 工业设备中的负载隔离
4. 通信设备
- 在通信领域，该 MOSFET 可用于信号放大和功率调节，例如：
- 基站功率放大器
- 无线通信模块中的功率管理
5. 汽车电子
- 该器件具有良好的耐热性能和可靠性，适合汽车环境下的应用，例如：
- 车载信息娱乐系统
- 电动座椅和车窗控制
- 发动机控制单元（ECU）
6. 消费电子
- 在消费电子产品中，NTGS3441BT1G 可用于各种便携式设备，如：
- 笔记本电脑适配器
- 平板电脑和智能手机的电源管理
- LED 照明驱动
7. 工业自动化
- 在工业自动化领域，该 MOSFET 可用于实现精确的电流控制和高效的能量转换，例如：
- 可编程逻辑控制器（PLC）
- 工业机器人中的电源管理
总结
NTGS3441BT1G 凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种应用场景，尤其是在需要高效能、低功耗和快速开关的电路中。它在电源管理、电机驱动、通信设备、汽车电子、消费电子和工业自动化等领域都有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOPMOSFET -20V -3.5A SGL P-CHN TSOP-6 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTGS3441BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTGS3441BT1G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 1100 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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