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Datasheet下载- 型号： FQD4N20TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FQD4N20TM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD4N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD4N20TM价格参考￥1.22-￥1.22。Fairchild SemiconductorFQD4N20TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD4N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD4N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD4N20TM是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的MOSFET晶体管，属于N沟道增强型MOSFET。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： FQD4N20TM具有200V的高耐压能力，适用于开关电源中的高压开关场景，例如适配器、充电器和DC-DC转换器等。 2. 电机驱动： 该器件可作为电机驱动电路中的开关元件，用于控制小型直流电机或步进电机的启停和速度调节。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQD4N20TM可以用作高频开关元件，实现高效的电能转换。 4. 电磁阀控制： 由于其能够承受较高的电压和电流，FQD4N20TM适合用于工业设备中电磁阀的开关控制。 5. 负载切换： 在需要频繁切换高电压负载的应用中，如汽车电子或家用电器，该MOSFET可以提供可靠的性能。 6. 保护电路： 可用于过流保护、短路保护等电路设计，利用其低导通电阻特性减少功率损耗。 7. 音频放大器： 在某些音频功放电路中，FQD4N20TM可用作输出级的开关元件，提供高效稳定的信号放大。 总结来说，FQD4N20TM凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3A DPAKMOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD4N20TMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD4N20TM |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | FQD4N20TMFSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 7 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.85 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
| 系列 | FQD4N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
