Datasheet下载- 型号： IPB06CN10N G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB06CN10N G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB06CN10N G价格参考。InfineonIPB06CN10N G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB06CN10N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB06CN10N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）型号为 IPB06CN10N G 的晶体管属于功率 MOSFET 器件，主要应用于需要高效能与高可靠性的电源管理系统中。该器件具备低导通电阻、高耐压（100V）和高电流承载能力的特点，适用于以下场景： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），用于提高转换效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：在电动车、工业自动化、电动工具等电机控制系统中作为功率开关使用，具备快速开关能力和良好热稳定性。 3. 电池管理系统（BMS）：用于新能源汽车或储能系统中，实现对电池充放电的高效控制与保护。 4. 工业控制设备：如变频器、伺服驱动器等，用于实现对电机速度和转矩的精确控制。 5. 消费类电子产品：如高功率LED照明、智能家电等，提供高效、小型化的电源解决方案。 该MOSFET采用PG-TDSON封装，具备良好的散热性能，适合高密度和高效率要求的设计。其增强型N沟道结构也使其在低电压驱动电路中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP06CN10N_Rev1.08.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043156fd5730115c7ebc11c108e |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB06CN10N G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 180µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9200pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 139nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.2 毫欧 @ 100A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | SP000096446 |
| 功率-最大值 | 214W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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