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Datasheet下载- 型号： IRLR7821PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7821PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7821PBF价格参考。International RectifierIRLR7821PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR7821PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR7821PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLR7821PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - IRLR7821PBF适用于各种开关电源（SMPS）设计，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率。 - 可用于DC-DC转换器、电池充电器和电压调节模块（VRM）。 2. 电机驱动 - 该器件适合驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。其快速开关特性和低功耗使其在电机控制应用中表现出色。 - 常见于家用电器（如风扇、泵）、无人机电机驱动和机器人控制系统。 3. 负载切换 - 在负载切换电路中，IRLR7821PBF可用作电子开关，控制高电流负载的通断。例如，汽车电子中的继电器替代方案或消费电子产品中的负载保护。 - 应用于USB充电端口保护、笔记本电脑电源管理和工业设备中的负载切换。 4. 逆变器和太阳能系统 - 在微型逆变器或太阳能最大功率点跟踪（MPPT）控制器中，IRLR7821PBF可用于高效能量转换和管理。 - 其低导通电阻和高频率性能有助于降低热损耗并提升系统效率。 5. 音频放大器 - 该MOSFET可作为音频功率放大器中的输出级开关，提供高保真音频信号输出，同时保持较低的失真和热量。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，IRLR7821PBF可用于车身控制模块（BCM）、LED照明驱动、电动助力转向（EPS）系统以及电动车窗和座椅调节等应用。 - 其坚固的设计和宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其非常适合严苛的汽车环境。 7. 工业自动化 - 用于工业自动化设备中的传感器接口、执行器驱动和信号调理电路。 - 适用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和其他需要高效功率管理的工业应用。 总之，IRLR7821PBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、汽车、工业控制和能源管理等领域，是高性能功率转换和控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 65A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 65 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7821PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR7821PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 75 W |
| Pd-功率耗散 | 75 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4.2 ns |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 65 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru7821.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru7821.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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